TH510系列半導體(ti)(ti)C-V特性分析儀(yi)是常州(zhou)同惠電(dian)子根據當前(qian)半導體(ti)(ti)功(gong)率器件(jian)發展趨勢，針對半導體(ti)(ti)材(cai)料及功(gong)率器件(jian)設計的分析儀(yi)器。

儀(yi)器采(cai)用(yong)了一(yi)體(ti)(ti)化(hua)集(ji)(ji)成設(she)計，二極(ji)管(guan)(guan)、三極(ji)管(guan)(guan)、MOS管(guan)(guan)及IGBT等(deng)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)功(gong)率(lv)(lv)器件寄生(sheng)電容、CV特性可(ke)一(yi)鍵(jian)測(ce)試，無需(xu)頻(pin)繁(fan)切換(huan)接線及設(she)置(zhi)參數，單(dan)管(guan)(guan)功(gong)率(lv)(lv)器件及模組功(gong)率(lv)(lv)器件均(jun)可(ke)一(yi)鍵(jian)快(kuai)速測(ce)試，適用(yong)于生(sheng)產線快(kuai)速測(ce)試、自動化(hua)集(ji)(ji)成。

CV曲線掃描分(fen)析能力(li)亦能滿足(zu)實(shi)驗室對半(ban)導(dao)體(ti)(ti)材料及(ji)功(gong)率器(qi)件(jian)的研發及(ji)分(fen)析。

儀器設計頻率(lv)為1kHz-2MHz，VGS電(dian)壓可(ke)達±40V，VDS電(dian)壓可(ke)達±200V/±1500V/±3000V，足以滿足大(da)多數功率(lv)器件測試。

功能特點

A.一體化測試，集成度高、體積小、效率高

一臺儀器內置(zhi)了LCR數字電(dian)(dian)橋、VGS電(dian)(dian)壓源、VDS電(dian)(dian)壓源、高低壓切換矩陣以及上位機軟(ruan)件，將復雜(za)的(de)(de)接線、繁(fan)瑣的(de)(de)操作(zuo)集成在支持電(dian)(dian)容式觸(chu)摸的(de)(de)Linux系統內，操作(zuo)更簡單。特別適合產(chan)線快速化(hua)、自動(dong)化(hua)測(ce)試。

B.單管器件測試，10.1寸大屏，四種寄生參數同屏顯示，讓細節一覽無遺

MOSFET或(huo)IGBT最(zui)重要的四個寄生參(can)數：Ciss、Coss、Crss、Rg，Cies、Coes、Cres、Rg均可一(yi)(yi)鍵(jian)測試，10.1寸大屏可同(tong)時將測量結果、等效(xiao)電路圖(tu)、分選(xuan)結果等重要參(can)數同(tong)時顯示，一(yi)(yi)目了然。

一鍵測(ce)試(shi)單(dan)管器件器件時，無需頻繁切(qie)換測(ce)試(shi)腳位、測(ce)量(liang)參(can)數、測(ce)量(liang)結果，大大提高了測(ce)試(shi)效率。

C.列表測試，多個、多芯、模組器件測量參數同屏顯示

TH510系列半導體C-V特(te)性分析儀支(zhi)持最(zui)多6個單管器(qi)件(jian)(jian)(jian)、6芯器(qi)件(jian)(jian)(jian)或6模(mo)組器(qi)件(jian)(jian)(jian)測試，所有測量(liang)參(can)數通過列表(biao)掃描模(mo)式同時顯(xian)示測試結(jie)(jie)果及判(pan)斷結(jie)(jie)果。

D.曲線掃描功能（選件）

在MOSFET的參數中，CV特性曲線也是一個(ge)非常重要的指(zhi)標，如下圖

TH510系列半導(dao)體(ti)C-V特(te)性(xing)分析儀支持C-V特(te)性(xing)曲(qu)線(xian)(xian)(xian)分析，可以以對(dui)數(shu)、線(xian)(xian)(xian)性(xing)兩種(zhong)方式(shi)實現曲(qu)線(xian)(xian)(xian)掃描，可同(tong)(tong)時顯示多條(tiao)曲(qu)線(xian)(xian)(xian)：同(tong)(tong)一參數(shu)、不同(tong)(tong)Vg的多條(tiao)曲(qu)線(xian)(xian)(xian)；同(tong)(tong)一Vg、不同(tong)(tong)參數(shu)多條(tiao)曲(qu)線(xian)(xian)(xian)。

E.的接觸檢查（Contact）功能，提前排除自動化測試隱患

F.的快速通斷測試（OP_SH）,排除損壞器件

在半導體器件特(te)性測試時，由于半器件本身是損(sun)壞件，特(te)別是多芯(xin)器件其中(zhong)一個芯(xin)已(yi)經損(sun)壞的(de)情況(kuang)下，測試雜散電容仍有可能被為合格，而半導體器件的(de)導通特(te)性才是最重要的(de)特(te)性。

因此，對于(yu)本身導通特性不(bu)良的(de)產品(pin)(pin)進行C-V特性測(ce)試是(shi)沒有必要(yao)的(de)，不(bu)僅僅浪費(fei)了測(ce)量時(shi)間，同時(shi)會由(you)于(yu)C-V合格而混雜(za)在(zai)良品(pin)(pin)里，導致成品(pin)(pin)出貨后被退(tui)回帶(dai)來損失.

TH510系列半導體(ti)C-V特性分析儀提供了快(kuai)速(su)通斷測試（OP_SH）功(gong)能,可用于直接判斷器(qi)件(jian)本身導通性能。

G.模組式器件設置，支持定制

針(zhen)對模組式器件(jian)如雙路（Dual）MOSFET、多組式IGBT，有(you)些器件(jian)會有(you)不同(tong)類型芯(xin)片(pian)(pian)混合式封裝;TH510系列CV特(te)性分析(xi)儀針(zhen)對此(ci)情況做(zuo)了優化(hua)，常見(jian)模組式芯(xin)片(pian)(pian)Demo已內置，特(te)殊(shu)芯(xin)片(pian)(pian)支持定(ding)制.

H.簡單快捷設置

I.10檔分選及可編程HANDLER接口

J.支持定制化，智能固件升級方式

同(tong)惠儀(yi)器(qi)對(dui)于客(ke)戶而言是開放的，儀(yi)器(qi)所有接口、指令集(ji)均為開放設(she)計，客(ke)戶可自(zi)行編程(cheng)集(ji)成(cheng)或進行功能定制，定制功能若無硬件更(geng)改，可直接通過固件升級方(fang)式更(geng)新。

儀(yi)器本身功能(neng)完善、BUG解決、功能(neng)升(sheng)級(ji)(ji)等，都可以通過升(sheng)級(ji)(ji)固(gu)件(Firmware)來進行更新，而無需返廠(chang)進行。

固件升(sheng)級(ji)(ji)非常智能，可以通過系統設置界面(mian)或者文(wen)件管(guan)理界面(mian)進行，智能搜(sou)索(suo)儀(yi)器內存、外(wai)接優盤甚至是局域網內升(sheng)級(ji)(ji)包，并(bing)自動(dong)進行升(sheng)級(ji)(ji)

K.技術解決Ciss、Coss、Crss、Rg產線/自動化系統高速測試精度

同惠電(dian)子在(zai)電(dian)容測(ce)試行業(ye)近30年的經驗(yan)積(ji)累，得以在(zai)產線、自動化測(ce)試等高(gao)速高(gao)精度測(ce)試場合，都能保證電(dian)容、電(dian)阻等測(ce)試精度。

常規產線(xian)測(ce)試(shi)，提供標準0米(mi)測(ce)試(shi)夾(jia)具(ju)，直插器件(jian)可(ke)直接插入(ru)進行測(ce)試(shi)，Ciss、Coss、Crss、Rg測(ce)試(shi)精度高。

針對自動(dong)化(hua)測試(shi)(shi)，由于自動(dong)化(hua)設備測試(shi)(shi)工(gong)裝(zhuang)通常需要較長連接(jie)線(xian)，大(da)多自動(dong)化(hua)設備生產(chan)商在延長測試(shi)(shi)線(xian)時會(hui)帶來很大(da)的(de)精(jing)(jing)度(du)偏差，為此，同惠設計了的(de)2米(mi)延長線(xian)并內置了2米(mi)校準，保證Ciss、Coss、Crss、Rg測試(shi)(shi)精(jing)(jing)度(du)和0米(mi)測試(shi)(shi)夾具(ju)一致。

L.半導體元件寄生電容知識

在(zai)高頻電路中，半(ban)導體(ti)(ti)器件(jian)的(de)寄生(sheng)電容(rong)往(wang)往(wang)會影響(xiang)半(ban)導體(ti)(ti)的(de)動態特性，所以在(zai)設計半(ban)導體(ti)(ti)元件(jian)時需要考慮下(xia)列因數

在高(gao)頻電(dian)路(lu)設計(ji)中往往需要考(kao)慮二極(ji)管(guan)(guan)結(jie)電(dian)容帶來的(de)影響；MOS管(guan)(guan)的(de)寄生(sheng)電(dian)容會影響管(guan)(guan)子(zi)的(de)動(dong)作時間、驅動(dong)能力和開關損耗(hao)等多方面(mian)特性；寄生(sheng)電(dian)容的(de)電(dian)壓依賴(lai)性在電(dian)路(lu)設計(ji)中也是至關重要，以MOSFET為例。

M.標配附件